自支撑氮化镓衬底晶片生产商硅掺非掺

恒迈瑞公司作为氮化镓衬底晶片生产厂家之一，为国内外客户供应自支撑氮化镓衬底晶片，尺寸涵盖2英寸及4英寸，掺杂类型分为N型非掺杂，硅掺杂及半绝缘型Fe铁掺杂。GaN氮化镓材料在电力电子器件领域多用于电源设备。 由于结构中包含可以实现高速性能的异质结二维电子气，GaN器件相比于SiC器件拥有更高的工作频率，加之可承受电压要低于SiC器件，所以GaN电力电子器件更适合高频率、小体积、成本敏感、功率要求低的电源领域，如轻量化的消费电子电源适配器、无人机用超轻电源、无线充电设备等。